“美国芯片计划”之“美国芯片研发计量计划”
结 语 半导体行业的变革和创新速度非常快，新技术日新月异，行业格局也在不断演变，这些发展将引发全新的挑战和计量需求。随着半导体元件达到纳米级，传统计量方法难以精确测量关键参数，即使是几纳米的偏差也可能对器件的性能产生巨大影响，因此，灵敏度和准确度成为计量至关重要的考量因素。在半导体生产中，提高产量和产出的关键之一是有效识别和找到故障的根PG电子官方网站本原因。在线加工和直接测量在这一问题上具有显著优势，通过实时观察和分析半导体的制造过程，可以避免偏差导致的高昂成本，并及时进行调整从而节省时间。
MOSFET结构、原理及测试
一种较大的误差来源于晶圆和卡盘之间的接触（如图1所示）。因为卡盘上以及晶圆背面粗糙不平，所以只有在个别点进行电气连接。晶圆和卡盘之间的接触电阻的数值足以给RDS(on)的测量引入较大的误差。仅仅重新放置卡盘上晶圆的位置就会改变接触区域并影响RDS(on)的测量结果。 图1 典型的测量结构，横截面视图 另一种测量偏差来源是探针的布局。如果移动了强制电流探针，电流的分布模式将发生变化。这会改变电压梯度模式，而且会改变电压检测探针处的电压。 三、功率MOSFET的导通电阻-相邻晶粒。
如何精确地测量S参数
GSG 探针接触位置移动到器件模型的限制点。最佳验证方式是在OPEN和SHORT晶圆上模型之外，还有THRU模型，该模型将通过带状线性代替之后的被测器件。THRU模型在OPEN和SHORT状态下去嵌，它应当视为一条时延线，其幅度为1，并具有一个有实际意义的正延值TD，以及特征阻抗Z0的一个实际值。 3. 测量结果 要确保器件在长时间的S参数测量期间温度不能发生改变。由于DC测试快，S参数测试慢有自热，导致结果稍有偏差。必须重复进行测量，确保在相同的温度条件下执行直流和S参数测。
半导体量测检测设备行业研究：国产化短板，替代潜力巨大（附下载）
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华大九天：EDA助力分立器件设计-制造协同发展
在可靠性分析方面，华大九天可对功率型分立器件的电源走线做精准的量化分析。不同于传统的利用矩形网格及方块电阻计算金属线网的方法，华大九天的Empyrean Polas 利用高精度自适应网格剖分技术，精确还原电源网络电阻分布，然后基于电源网络做量化的可靠性分析。例如，当信号从pad传递到多个并联的器件时候，工具可以计算各个器件导通的延时分布。对于垂直结构的器件，工具可结合晶圆制造工艺上的每一个图层及其立体结构做这种精确的的电阻提取，如果分立器件通过金属引线连接PCB，工具也可计算。
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